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  • 二次清洗

    去除扩散后硅片边缘的P-N结防止短路,以及去除扩散后形成的磷硅玻璃(PSG)。

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  • 扩散

    在高温氧化扩散炉中使P型硅衬底表面通过磷扩散的方法制作一层N型层,在硅片表面形成P-N结。

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  • 一次清洗

    利用黑硅制绒机,去除硅片表面损伤层、制作纳米级孔洞状绒面降低硅片反射率增加光吸收。

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  • 来料检验

    通过光学检测和电学检测方式,剔除各项异常原材料,确保产品质量。

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