去除扩散后硅片边缘的P-N结防止短路，以及去除扩散后形成的磷硅玻璃（PSG）。

在高温氧化扩散炉中使P型硅衬底表面通过磷扩散的方法制作一层N型层，在硅片表面形成P-N结。

利用黑硅制绒机，去除硅片表面损伤层、制作纳米级孔洞状绒面降低硅片反射率增加光吸收。

通过光学检测和电学检测方式，剔除各项异常原材料，确保产品质量。